在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Anthropic 今天向外展示的「合作」姿态，听起来温和，甚至有点示好。市场也在一夜之间被安抚了，但没人真正回答那个根本问题：AI 冲击职场的终点，到底是人和 AI 一起干活，还是 AI 干活、人来担责，还是连这最后一道门槛也终将消失？
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